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英特尔IvyBridge处理器拆解万芳

发布时间:2020-02-14 12:01:24 阅读: 来源:机箱厂家

英特尔Ivy Bridge处理器拆解 - 单片机/处理器 - 电子工程网

研究机构UBM TechInsights已着手进行英特尔最新一代处理器Ivy Bridge的拆解分析;该款芯片是英特尔首款采用22纳米工艺以及3D晶体管技术的产品,尚未正式上市。有一些媒体猜测,英特尔可能最快会在4月29日发表该款产品,也有传言指出,该芯片的上市时程可能会延迟至7月。

一位英特尔发言人表示,Ivy Bridge处理器“很快”就会正式发表,他补充:“我们从去年底开始就已经进行该芯片的生产。”他的意思应该是指该芯片样本,而UBM TechInsights已经取得了一颗在马来西亚封装,标记为3.3GHz Core i5-3550的Ivy Bridge处理器芯片,其裸晶面积尺寸为170mm2,小于目前Sandy Bridge i7 2600K处理器的208mm2。

在初步测试中,UBM TechInsights发现该处理器芯片内含栅极间距(gate pitch)为90纳米的嵌入式SRAM阵列,还发现栅极长度为22纳米的逻辑区块。半导体产业界大多认为,下一个重要工艺节点是28纳米;包括Altera与Xilinx都已经推出28纳米工艺FPGA,AMD与高通(Qualcomm)也正在委托GlobalFoundries 、台积电等晶圆代工厂生产28纳米芯片。

英特尔的独特22纳米工艺技术是采用了又称为FinFET的3D晶体管,该种技术号称可降低漏电──这也是目前尖端工艺芯片最大的问题。其他芯片厂商也表示,他们将在次20纳米工艺采用类似的技术。

UBM TechInsights将于5月分两阶段公布对Ivy Bridge芯片的拆解报告,第一阶段将包含详细的逻辑架构分析,包括该芯片的制程技术、嵌入式存储器、逻辑栅与I/O晶体管,并有高分辨率的芯片内部图像;第二阶段的报告则将分析该款处理器的晶体管特性,包括其NMOS、PMOS晶体管的DC电气特性分析、栅极数据与沟道泄漏电流。

此外该报告还将显示在三个温度阶层的处理器性能测试结果;分析师将采用扫描与隧穿电子显微镜、扩展电阻测试(Spreading Resistance Profiling)以及X光等技术。以下先披露报告中的几张精彩图片:

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